Samsung ha comenzado la producción en masa de chips de memoria de 1 GB DDR DRAM basados en la tecnología de proceso de 80 nm. Estos chips son 36 por ciento más pequeños que sus precursores, que fueron producidos usando una tecnología de 90 nm. La compañía, desde marzo, ha estado fabricando chips de 512 MB usando un proceso de 80 nm, pero éstas son los primeros chips de 1 GB. Estos serán utilizados para crear módulos de memoria en línea dual (DIMM) de 4 GB, así como SODIMMs de 2GB. Ahora la compañía ahora está produciendo todo tipo de DDR2 DRAM con diferentes densidades a 80nm.

Antes los chips de 1 GB DRAM comúnmente se apilaban en módulos de gran capacidad DRAM usados en servidores que requieren extensas cantidades de RAM. Los nuevos chips de 1 GB DRAM serán usados para crear módulos de 4 GB lo cual eliminara la necesidad de apilar chips. La compañía piensa que con este nuevo chip podrán simplificar el proceso de producción, así como bajar costos y realzar las propiedades eléctricas de los chips en general.