Samsung anuncio que ha desarrollado un paquete de memoria apilado totalmente DRAM usando tecnología ‘a través via silicón’ (TSV por sus siglas en ingles), que supuestamente tiene como resultado paquetes de memoria que son mas rápidos, mas pequeños y consumen menos energía. Normalmente los chips de memoria están conectados entre si con cables, lo cual requiere espacios verticales entre las capsulas. La tecnología WSP de Samsung usa agujeros de micrones de ancho hechos verticalmente en el silicio para conectar los circuitos de memoria directamente entre si a traves de un relleno de cobre, eliminando la necesidad espacios entre estos:

“La innovadora tecnología de apilamiento MCP (paquete multi-chip) basada en TSV ofrece una solución de empaque de siguiente generación que se acomodará a la siempre creciente demanda de memoria mas pequeña, de mayor velocidad y mas densidad,” dijo Tae-Gyeong Cheng, vice presidente, Interconnect Technology Development Team, Memory Division, Samsung Electronics. “Ademas, los logros en desempeño de nuestra tecnología WSP pueden ser utilizado en muchas diversas combinaciones de paquetes para semiconductores, como una solución sistema-en-paquete que combina lógica con memoria.”
La tecnología WSP de Samsung no solo busca reducir el tamaño en general, pero también permite que los chips operen más rápido y consuman menos energía. Todo esto suena bastante interesante, el boletín de prensa nos da una pista que sugiere que esta tecnología esta diseñada para la siguiente generación de sistemas de computación para el 2010 y después.