El mercado de memoria flash exige una capacidad mayor de almacenamiento a través de productos mas delgados y pequeños, y para alimentar este crecimiento el gigante Samsung ha demostrado lo que ellos llaman el primer chip de memoria flash NAND de 64-gigabit basado en un proceso refinado que incluye circuitos con un ancho de 30 nanómetros.

Según la compañía, el nuevo dispositivo de memoria flash fue desarrollado exitosamente a través del uso de un nuevo proceso de fabricación que usa tecnología SaDPT, que utiliza un patrón de transferencia más eficiente que el usado en el proceso CTF. Estos chips están programados para comenzar a ser fabricados en masa en el 2009, preparando el camino para que las compañías produzcan tarjetas de memoria, como las SD y CF-II, de hasta 128GB y disco duros de estado sólido con una capacidad de almacenamiento de 512GB.