Mircon en colaboración con Intel, anunció hoy una nueva tecnología de alta velocidad para la memoria NAND Flash que incrementa significativamente las tasas de transferencia para los dispositivos que usan este tipo de almacenamiento basado en el silicio. Estas compañías sostienen que su tecnología es cinco veces más rápida que la memoria NAND tradicional y puede llegar a velocidades de 200MB/s al momento de leer información y 100MB/s al momento de escribirla.

La mejora de velocidad es resultado de usar la especificación ONFI 2.0 (Open NAND Flash Interface) en combinación con una arquitectura de cuatro planos y velocidades de reloj más altas. Puedes esperar que esta veloz memoria flash de Micron aparezca en teléfonos móviles, filmadoras, discos duros híbridos, y otros dispositivos portátiles durante la segunda mitad del 2008 – aunque probablemente tendrás que pagar una alta prima para tener acceso a esta tecnología de punta.