Aparentemente Samsung ahora lidera el progreso en la fabricación de chips NAND flash. Superando a Toshiba como también a la compañía de riesgo compartido de Intel y Micron, IM Flash Technologies, este fabricante coreano ha comenzado a fabricar y probar los primeros chips NAND flash con tecnología MLC de 20nm para tarjetas SD y otras soluciones de almacenamiento.

Estos chips permitirán no solo hasta un 50% mas almacenamiento que las partes de 30nm en un mismo espacio pero ofrecerán una mayor velocidad y un precio que debería ser inferior. Samsung estima que una tarjeta SDHC de 8GB será un 30% más rápida con una velocidad garantizada de escritura Clase 10 (10MB/s) y una lectura de 20MB/s. La tecnología se enfocará principalmente en chips de 32 gigabits (4GB) que puede ser apilado o combinados para un total de hasta 64GB, y estará dirigida principalmente a tarjetas de almacenamiento y memoria para dispositivos de pequeño tamaño, como por ejemplo, teléfonos inteligentes.

La producción en masa está programada para finales de este año. Sin embargo, mientras tanto Toshiba comenzará la migración de 32nm a un proceso todavía no identificado que estará por debajo de los 30nm para finalmente llegar a los circuitos de 20nm o menos para comienzos del 2012. IM Flash anuncio en enero su [url=http://www.techspot.com/espanol/noticias/37782-intel-y-micron-anuncia-memoria-nand-flash-de-25nm.html]tecnología de 25nm[/url, un año y medio después de comenzar a utilizar los chips de 34nm.