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Samsung y Toshiba se unen para aumentar velocidad NAND flash
Por Jose Vilches y Erik Orejuela |
Publicado: 26 de julio del 2010, 8:00 AM EST
Samsung y Toshiba anuncian que trabajarán juntos para sacar adelante una nueva especificación NAND flash que busca incrementar significativamente los tiempos de transferencia. Las dos compañías se han comprometido a desarrollar la memoria NAND flash DDR 2.0 con una interface de 400Mb/s, lo cual es muy superior a los 133Mb/s que ofrece la memoria DDR 1.0 y diez veces más rápida que la interface de 40Mbps que encontramos en los chips NAND flash SDR tradicionales.

La tecnología competirá con el estándar ONFI (Open NAND Flash Interface) respaldado por Intel, Micron, y SanDisk, que ha sido diseñado para productos de alto desempeño como unidades SSD, y un amplio rango de productos como teléfonos inteligentes y tabletas. Como PCWorld señala, la tasa de adopción de estas dos tecnologías será influenciada por la participación de mercado de las compañías. Ya que Samsung y Toshiba proveen el 70% de la memoria NAND flash en el mundo, la balanza se inclina más hacia la adopción del estándar DDR 2.0.

El mes pasado Samsung presentó una de sus primeras unidades SSD que utilizan la memoria NAND flash DDR. Gracias a sus chips MLC de 30nm, esta unidad de 512GB puede lograr una velocidad secuencial de lectura de 250MB/s y una velocidad de escritura de 220MB/s. Para poner las cosas en perspectiva, las unidades ONFI tienen velocidades de 200Mb/s y 166MB/s.
 

 

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