Recién la semana pasada IM Flash Tecgnologies – una compañía de riesgo formada por Intel y Micron Technology – anunció su chips de memoria NAND flash de 20nm que era las partes más pequeñas hasta esa fecha. Pero como es común en la industria de la tecnología los títulos no duran mucho. Ahora SanDisk y Toshiba anuncian que sacarán los primeros chips de muestra fabricados bajo un proceso de 19nm para finales de mes.

El primer producto que implementará el proceso de 19nm serán los chips de memoria flash 64Gbit (8GB) multi-nivel, con los primeros lotes planeados para la segunda mitad del 2011. Para esa fecha SanDisk también agregará productos de 3-bit-por-celda fabricados con procesos de 19nm, según el boletín de prensa.

“Estamos emocionados de introducir los chips NAND flash mas pequeños y económicos basados en un proceso de 19nm para nuestro aliado de fabricación Toshiba,” dijo Yoram Cedar, vicepresidente ejecutivo y CTO de SanDisk. “Los productos basados en esta tecnología están diseñados para permitir nuevas aplicaciones, tamaños y experiencias para el consumidor, y continuarán propulsando la industria del flash a nuevas altura.”

Las compañías dicen que los procesos mas pequeños permitirán a los fabricantes de dispositivos almacenar mas en menos espacio. No se ha mencionado las dimensiones de los chips, solo que se apilarán en lotes de 16 para formar módulos de 128GB que serán usados en teléfonos, tabletas y otros dispositivos. Los chips NAND de 19nm están equipados con Toggle DDR2.0 para mejorar su velocidad de transferencia y utilizan una arquitectura All-Bit-Line con algoritmos de programación propietarios y almacenamiento de información multi-nivel lo cual supuestamente permite mantener el desempeño y la confiabilidad.