Samsung Electronics anunció hoy que han comenzado a fabricar chips de memoria DDR 2.0 con tecnología MLC de alto desempeño. El chip NAND flash de 64 gigabits es fabricado bajo un proceso de 20nm y puede transmitir información con un ancho de banda de hasta 400Mb/s (50MB/s). Esto es 10 veces más que los 40Mb/s (5MB/s) que ofrecen los NAND SDR que se utilizan hoy en día, y es tres veces más que los 133Mb/s (16,6MB/s) que ofrecen los chips NAND flash DDR 1.0 de 32Gb.

“Con esto Samsung lidera el mercado, el cual esta evolucionado para la cuarta generación de teléfonos inteligentes y SSDs Seral ATA de 6Gb/s,” dijo el VP de memoria & marketing Wanhoon Hong. “Continuaremos desarrollando agresivamente las soluciones NAND flash DDR más avanzadas con un mayor densidad y desempeño, ya que vemos que son vitales para una mayor diversidad de servicios para los usuarios de telefonía celular a nivel mundial.”

La compañía coreana espera que la disponibilidad de una densidad de hasta ocho gigabytes (64Gb) en un solo chip encienda una aceptación generalizada del flash de alto desempeño basado en Toogle DDR para unidades de almacenamiento USB y tarjetas SD, como también teléfonos inteligentes y unidades SSD, reemplazando los chips anteriores de cuatro gigabytes (32Gb) que Samsung comenzó a fabricar el año pasado.

En abril, SanDisk y Toshiba anunciaron los primeros chips de memoria NAND flash fabricados con un proceso de 19nm, los cuales utilizan DDR2.0 Toggle para mejorar las velocidades de transferencia. La producción en masa está planeada para la segunda mitad del 2011, aunque Intel y Micron también tienen programado chips de 8GB (64Gb) de 20nm para la misma época. Según IHS iSuppli, la memoria NAND flash de 64Gb o mas deberían representar aproximadamente 70% del total de chips de memoria NAND flash del 2012.